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Microwave Technology
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- MicroWave Technology, Inc.는 RF & amp; GaAs 및 GaN RF 전력 증폭기, 저잡음 pHEMT 소자, MMIC, 무선 증폭기, 하이브리드 모듈 및 커넥터 화 된 마이크로 웨이브 증폭기와 같은 전자 제품에 사용됩니다.
캘리포니아의 실리콘 밸리에 위치한 MicroWave Technology, Inc. (MwT)는 1982 년에 갈륨 비소 (GaAs) 장치 설계 및 제조에 대한 폭 넓은 경험을 갖춘 기술 교장에 의해 설립되었습니다. 이 회사의 주요 자산은 GaAs 반도체 팹과 하이브리드 칩 및 와이어 마이크로파 집적 회로 (HMIC) 제조 시설을 포함합니다. 수직 제조 및 제품 강도는 전자 레인지 부품 시장에서 MwT의 희소성과 기회를 제공합니다.
MwT는 선도적 인 미국의 이산 갈륨 비소 다이오드 및 트랜지스터 (FET, pHEMT 및 건 다이오드)의 상인 제조업체입니다. 장치 신뢰성에 초점을 맞춘 초기 작업으로 인해 MwT 장치가 수소 오염에 영향을받지 않는 독점 금속 화 시스템이 탄생했습니다. 이제 신뢰성이 높은 산업에 큰 관심사가되었습니다. 이 소자는 독창적 인 에피 재료와 0.25 마이크론 리 세스 게이트 공정 기술을 채택하여 높은 선형 (1W P-1dB 무선 앰프에서 + 48dBm IP3) 및 낮은 위상 잡음 (-125dBc @ 100KHz 오프셋 17.5 GHz의 DRO) 디바이스에 10 밀리 와트에서 5 와트의 출력을 제공합니다. 칩 또는 패키지 형태로 판매되는 이러한 장치는 무선 인프라 시스템, 산업용 RF 애플리케이션 및 다양한 방위 및 우주 전자 장치에서 정보를 전송 또는 수신 할 때 10MHz ~ 40GHz의 신호를 증폭하는 데 널리 사용됩니다.
MwT의 GaAs FET의 낮은 상호 변조 왜곡 특성을 이용함으로써, 회사는 다중 반송파 및 / 또는 디지털 변조 (고 선형성)를 목표로하는 소형 내부 일치 형 모듈러 표면 실장 송수신 모듈의 제품으로 명성을 얻고 있습니다 ) 무선 인프라 및 군사 통신 시스템. 주요 응용 분야는 수신기 프론트 엔드, 셀룰러, PCS 및 WLL 기지국의 드라이버 또는 피코 셀 출력 증폭기 및 군용 고 신뢰성 통신 장치입니다. 주목할만한 신제품은 극히 낮은 입 / 출력 반사 손실을 가지고있어 매우 중요한 고 선형성 전력 증폭기 캐스케이드에 게인 삽입이 용이합니다. MwT는 내부 및 외부 고객 모두에게 신뢰성이 입증 된 박막 필름 회로 처리 기능을 제공합니다. 박막 필름 하이브리드 초소형 회로 구성을 사용하여 MwT는 26 GHz까지 다양한 표준 모듈 형 앰프 제품을 생산 및 판매합니다. 이 모듈은 또한 MwT가 방위 및 통신 응용 분야 용 표준 및 맞춤형 커넥터 화 앰프를 설계 및 제조하는 요소입니다.
MwT는 오랜 세월의 경험을 바탕으로 고객을위한 전문적인 디자인을 개발했으며 MwT 장치를 기반으로 한 커스텀 디자인 라이브러리를 보유하고 있습니다. MwT는 특수한 앰프 및 보드 레벨 제품을 생산하기 위해 표준 부품 및 사용자 정의 버전의 부품을 모두 사용합니다. 검증 된 경험과 실적은 설계 비용, 시간 및 엔지니어링 리소스를 절감하는 데 도움이됩니다. 그 예로 저주파 LNA, 무선 LNA 부스터 증폭기, 통합 빌딩 블록, 고주파 발진기, 평가 보드 및 테스트 장치가 있습니다.
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