제품 모델 | DMN61D8LVTQ-7 | 제조사 | Diodes Incorporated |
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기술 | MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 | 155957 pcs | 데이터 시트 | DMN61D8LVTQ-7.pdf |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 2V @ 1mA | 제조업체 장치 패키지 | TSOT-26 |
연속 | - | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 1.8 Ohm @ 150mA, 5V |
전력 - 최대 | 820mW | 포장 | Cut Tape (CT) |
패키지 / 케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | 다른 이름들 | DMN61D8LVTQ-7DICT |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 실장 형 | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 12.9pF @ 12V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 0.74nC @ 5V |
FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) | FET 특징 | Logic Level Gate |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 60V | 상세 설명 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 630mA 820mW Surface Mount TSOT-26 |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 630mA |
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