제품 모델 | HTNFET-T | 제조사 | Honeywell Microelectronics & Precision Sensors |
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기술 | MOSFET N-CH 55V 4-PIN | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 비 준수 |
사용 가능한 양 | 218 pcs | 데이터 시트 | HTNFET-T.pdf |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.4V @ 100µA | Vgs (최대) | 10V |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | 4-Power Tab |
연속 | HTMOS™ | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 400 mOhm @ 100mA, 5V |
전력 소비 (최대) | 50W (Tj) | 포장 | Bulk |
패키지 / 케이스 | 4-SIP | 다른 이름들 | 342-1091 HTNFET-T-ND HTNFETT |
작동 온도 | -55°C ~ 225°C (TJ) | 실장 형 | Through Hole |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Contains lead / RoHS non-compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 290pF @ 28V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 4.3nC @ 5V |
FET 유형 | N-Channel | FET 특징 | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 5V | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 55V |
상세 설명 | N-Channel 55V 50W (Tj) Through Hole 4-Power Tab | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | - |
페덱스 | www.FedEx.com | 기본 배송료는 지역 및 국가에 따라 $ 35.00부터입니다. |
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