제품 모델 | DTC115GUAT106 | 제조사 | LAPIS Semiconductor |
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기술 | TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 | 436457 pcs | 데이터 시트 | 1.DTC115GUAT106.pdf2.DTC115GUAT106.pdf |
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 50V | IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) | 300mV @ 250µA, 5mA |
트랜지스터 유형 | NPN - Pre-Biased | 제조업체 장치 패키지 | UMT3 |
연속 | - | 저항기 - 이미 터베이스 (R2) | 100 kOhms |
전력 - 최대 | 200mW | 포장 | Original-Reel® |
패키지 / 케이스 | SC-70, SOT-323 | 다른 이름들 | DTC115GUAT106DKR |
실장 형 | Surface Mount | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 주파수 - 전환 | 250MHz |
상세 설명 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3 | IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 | 82 @ 5mA, 5V |
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) | 500nA (ICBO) | 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) | 100mA |
기본 부품 번호 | DTC115 |
페덱스 | www.FedEx.com | 기본 배송료는 지역 및 국가에 따라 $ 35.00부터입니다. |
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