제품 모델 | DTD743EETL | 제조사 | LAPIS Semiconductor |
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기술 | TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 | 171425 pcs | 데이터 시트 | DTD743EETL.pdf |
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 30V | IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
트랜지스터 유형 | NPN - Pre-Biased | 제조업체 장치 패키지 | EMT3 |
연속 | - | 저항기 - 이미 터베이스 (R2) | 4.7 kOhms |
저항기 -베이스 (R1) | 4.7 kOhms | 전력 - 최대 | 150mW |
포장 | Cut Tape (CT) | 패키지 / 케이스 | SC-75, SOT-416 |
다른 이름들 | DTD743EETLCT | 실장 형 | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
주파수 - 전환 | 260MHz | 상세 설명 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 30V 200mA 260MHz 150mW Surface Mount EMT3 |
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 | 115 @ 100mA, 2V | 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) | 500nA |
전류 - 콜렉터 (IC) (최대) | 200mA | 기본 부품 번호 | DTD743 |
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