제품 모델 | RSH065N03TB1 | 제조사 | LAPIS Semiconductor |
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기술 | MOSFET N-CH 30V 6.5A SOP8 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 | 279018 pcs | 데이터 시트 | RSH065N03TB1.pdf |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.5V @ 1mA | Vgs (최대) | ±20V |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | 8-SOP |
연속 | - | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 27 mOhm @ 6.5A, 10V |
전력 소비 (최대) | 2W (Ta) | 포장 | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 다른 이름들 | RSH065N03TB1TR |
작동 온도 | 150°C (TJ) | 실장 형 | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 430pF @ 10V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 8.6nC @ 5V |
FET 유형 | N-Channel | FET 특징 | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4V, 10V | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30V |
상세 설명 | N-Channel 30V 6.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 6.5A (Ta) |
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