제품 모델 | PUMD17,115 | 제조사 | Nexperia |
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기술 | TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 | 273281 pcs | 데이터 시트 | PUMD17,115.pdf |
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 50V | IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) | 150mV @ 500µA, 10mA |
트랜지스터 유형 | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | 제조업체 장치 패키지 | 6-TSSOP |
연속 | - | 저항기 - 이미 터베이스 (R2) | 22 kOhms |
저항기 -베이스 (R1) | 47 kOhms | 전력 - 최대 | 300mW |
포장 | Cut Tape (CT) | 패키지 / 케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
다른 이름들 | 1727-1983-1 568-12019-1 568-12019-1-ND |
실장 형 | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
주파수 - 전환 | - | 상세 설명 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP |
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 | 60 @ 5mA, 5V | 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) | 1µA |
전류 - 콜렉터 (IC) (최대) | 100mA |
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