제품 모델 | RN1910FE(T5L,F,T) | 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
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기술 | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 | 238826 pcs | 데이터 시트 | RN1910FE(T5L,F,T).pdf |
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 50V | IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) | 300mV @ 250µA, 5mA |
트랜지스터 유형 | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) | 제조업체 장치 패키지 | ES6 |
연속 | - | 저항기 - 이미 터베이스 (R2) | - |
저항기 -베이스 (R1) | 4.7 kOhms | 전력 - 최대 | 100mW |
포장 | Cut Tape (CT) | 패키지 / 케이스 | SOT-563, SOT-666 |
다른 이름들 | RN1910FE(T5LFT)CT | 실장 형 | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
주파수 - 전환 | 250MHz | 상세 설명 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6 |
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 | 120 @ 1mA, 5V | 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) | 100nA (ICBO) |
전류 - 콜렉터 (IC) (최대) | 100mA |
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