제품 모델 | RN4602TE85LF | 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
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기술 | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 | 210330 pcs | 데이터 시트 | RN4602TE85LF.pdf |
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 50V | IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) | 300mV @ 250µA, 5mA |
트랜지스터 유형 | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | 제조업체 장치 패키지 | SM6 |
연속 | - | 저항기 - 이미 터베이스 (R2) | 10 kOhms |
저항기 -베이스 (R1) | 10 kOhms | 전력 - 최대 | 300mW |
포장 | Cut Tape (CT) | 패키지 / 케이스 | SC-74, SOT-457 |
다른 이름들 | RN4602TE85LFCT | 실장 형 | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
주파수 - 전환 | 200MHz | 상세 설명 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6 |
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 | 50 @ 10mA, 5V | 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) | 100nA (ICBO) |
전류 - 콜렉터 (IC) (최대) | 100mA |
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