제품 모델 | SSM6J414TU,LF | 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
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기술 | MOSFET P CH 20V 6A UF6 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 | 132192 pcs | 데이터 시트 | SSM6J414TU,LF.pdf |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 1V @ 1mA | Vgs (최대) | ±8V |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | UF6 |
연속 | U-MOSVI | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 22.5 mOhm @ 6A, 4.5V |
전력 소비 (최대) | 1W (Ta) | 포장 | Cut Tape (CT) |
패키지 / 케이스 | 6-SMD, Flat Leads | 다른 이름들 | SSM6J414TU,LFCT SSM6J414TULF(TCT SSM6J414TULF(TCT-ND SSM6J414TULFCT |
작동 온도 | 150°C (TJ) | 실장 형 | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1650pF @ 10V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 23.1nC @ 4.5V |
FET 유형 | P-Channel | FET 특징 | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 1.5V, 4.5V | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20V |
상세 설명 | P-Channel 20V 6A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount UF6 | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 6A (Ta) |
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