제품 모델 | T2N7002AK,LM | 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
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기술 | MOSFET N-CH 60V 0.2A | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 | 579611 pcs | 데이터 시트 | T2N7002AK,LM.pdf |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.1V @ 250µA | Vgs (최대) | ±20V |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | SOT-23 |
연속 | U-MOSVII-H | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 3.9 Ohm @ 100mA, 10V |
전력 소비 (최대) | 320mW (Ta) | 포장 | Cut Tape (CT) |
패키지 / 케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 다른 이름들 | T2N7002AKLM(BCT T2N7002AKLM(BCT-ND T2N7002AKLMCT |
작동 온도 | 150°C (TJ) | 실장 형 | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 17pF @ 10V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 0.35nC @ 4.5V |
FET 유형 | N-Channel | FET 특징 | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 60V |
상세 설명 | N-Channel 60V 200mA (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount SOT-23 | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 200mA (Ta) |
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