제품 모델 | BS170RLRAG | 제조사 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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기술 | MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 | 6195 pcs | 데이터 시트 | BS170RLRAG.pdf |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 3V @ 1mA | Vgs (최대) | ±20V |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | TO-92-3 |
연속 | - | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 5 Ohm @ 200mA, 10V |
전력 소비 (최대) | 350mW (Ta) | 포장 | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | 다른 이름들 | BS170RLRAGOSTR |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 실장 형 | Through Hole |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 60pF @ 10V | FET 유형 | N-Channel |
FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 60V | 상세 설명 | N-Channel 60V 500mA (Ta) 350mW (Ta) Through Hole TO-92-3 |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 500mA (Ta) |
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