제품 모델 | FDMQ8203 | 제조사 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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기술 | MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12-MLP | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 | 37940 pcs | 데이터 시트 | FDMQ8203.pdf |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA | 제조업체 장치 패키지 | 12-MLP (5x4.5) |
연속 | GreenBridge™ PowerTrench® | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 110 mOhm @ 3A, 10V |
전력 - 최대 | 2.5W | 포장 | Cut Tape (CT) |
패키지 / 케이스 | 12-WDFN Exposed Pad | 다른 이름들 | FDMQ8203CT |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 실장 형 | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 210pF @ 50V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 5nC @ 10V |
FET 유형 | 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) | FET 특징 | Logic Level Gate |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 100V, 80V | 상세 설명 | Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 100V, 80V 3.4A, 2.6A 2.5W Surface Mount 12-MLP (5x4.5) |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 3.4A, 2.6A | 기본 부품 번호 | FDMQ8203 |
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