제품 모델 | NJVMJB41CT4G | 제조사 | ON Semiconductor |
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기술 | TRANS NPN 100V 6A D2PAK-3 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 | 142021 pcs | 데이터 시트 | NJVMJB41CT4G.pdf |
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 6A | 전압 - 파괴 | D2PAK-3 |
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) | 100V | 연속 | - |
RoHS 상태 | Tape & Reel (TR) | 저항기 -베이스 (R1) (옴) | 3MHz |
전력 - 최대 | 2W | 편광 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
다른 이름들 | NJVMJB41CT4G-ND | 작동 온도 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 | Surface Mount | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
제조업체 부품 번호 | NJVMJB41CT4G | 주파수 - 전환 | 15 @ 3A, 4V |
확장 설명 | Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 6A 3MHz 2W Surface Mount D2PAK-3 | 기술 | TRANS NPN 100V 6A D2PAK-3 |
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 | 700µA | 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) | 1.5V @ 600mA, 6A |
전류 - 콜렉터 (IC) (최대) | NPN |
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