제품 모델 | CY62146GN30-45ZSXI | 제조사 | Cypress Semiconductor |
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기술 | IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 | 19772 pcs | 데이터 시트 | CY62146GN30-45ZSXI.pdf |
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 | 45ns | 전압 - 공급 | 2.2 V ~ 3.6 V |
과학 기술 | SRAM - Asynchronous | 제조업체 장치 패키지 | 44-TSOP II |
연속 | MoBL® | 포장 | Tray |
패키지 / 케이스 | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) | 작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
실장 형 | Surface Mount | 수분 민감도 (MSL) | 3 (168 Hours) |
메모리 유형 | Volatile | 메모리 크기 | 4Mb (256K x 16) |
메모리 인터페이스 | Parallel | 메모리 형식 | SRAM |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 상세 설명 | SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 45ns 44-TSOP II |
액세스 시간 | 45ns |
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