제품 모델 | IRF510STRLPBF | 제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
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기술 | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 | 54275 pcs | 데이터 시트 | IRF510STRLPBF.pdf |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA | Vgs (최대) | ±20V |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 연속 | - |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 540 mOhm @ 3.4A, 10V | 전력 소비 (최대) | 43W (Tc) |
포장 | Cut Tape (CT) | 패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
다른 이름들 | IRF510STRLPBFCT | 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
실장 형 | Surface Mount | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 180pF @ 25V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 8.3nC @ 10V | FET 유형 | N-Channel |
FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 100V | 상세 설명 | N-Channel 100V 5.6A (Tc) 43W (Tc) Surface Mount |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 5.6A (Tc) |
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