제품 모델 | SI4943CDY-T1-GE3 | 제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
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기술 | MOSFET 2P-CH 20V 8A 8-SOIC | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 | 48756 pcs | 데이터 시트 | SI4943CDY-T1-GE3.pdf |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 3V @ 250µA | 제조업체 장치 패키지 | 8-SO |
연속 | TrenchFET® | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 19.2 mOhm @ 8.3A, 10V |
전력 - 최대 | 3.1W | 포장 | Original-Reel® |
패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 다른 이름들 | SI4943CDY-T1-GE3DKR |
작동 온도 | -50°C ~ 150°C (TJ) | 실장 형 | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1945pF @ 10V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 62nC @ 10V |
FET 유형 | 2 P-Channel (Dual) | FET 특징 | Logic Level Gate |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20V | 상세 설명 | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 8A 3.1W Surface Mount 8-SO |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 8A | 기본 부품 번호 | SI4943 |
페덱스 | www.FedEx.com | 기본 배송료는 지역 및 국가에 따라 $ 35.00부터입니다. |
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