제품 모델 | SI8261ABD-C-IS | 제조사 | Energy Micro (Silicon Labs) |
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기술 | DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SDIP | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 | 51050 pcs | 데이터 시트 | SI8261ABD-C-IS.pdf |
전압 - 공급 | 9.4 V ~ 30 V | 전압 - 분리 | 5000Vrms |
전압 - 순방향 (Vf) (일반) | 2.8V (Max) | 과학 기술 | Capacitive Coupling |
제조업체 장치 패키지 | 6-SDIP | 연속 | Automotive, AEC-Q100 |
상승 / 하강 시간 (일반) | 5.5ns, 8.5ns | 펄스 폭 왜곡 (최대) | 28ns |
전달 지연 tpLH / tpHL (최대) | 60ns, 50ns | 포장 | Tube |
패키지 / 케이스 | 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width) | 작동 온도 | -40°C ~ 125°C |
채널 수 | 1 | 실장 형 | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) | 3 (168 Hours) | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
상세 설명 | 600mA Gate Driver Capacitive Coupling 5000Vrms 1 Channel 6-SDIP | 전류 - 피크 출력 | 600mA |
전류 - 출력 고, 저 | 400mA, 600mA | 전류 - DC 순방향 (If) (최대) | 30mA |
공통 모드 과도 내성 (최소) | 35kV/µs | 승인 | CQC, CSA, UR, VDE |
페덱스 | www.FedEx.com | 기본 배송료는 지역 및 국가에 따라 $ 35.00부터입니다. |
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