제품 모델 | BSM180D12P2C101 | 제조사 | LAPIS Semiconductor |
---|---|---|---|
기술 | MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 | 227 pcs | 데이터 시트 | 1.BSM180D12P2C101.pdf2.BSM180D12P2C101.pdf3.BSM180D12P2C101.pdf |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 35.2mA | 제조업체 장치 패키지 | Module |
연속 | - | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | - |
전력 - 최대 | 1130W | 포장 | Bulk |
패키지 / 케이스 | Module | 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 23000pF @ 10V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
FET 유형 | 2 N-Channel (Half Bridge) | FET 특징 | Silicon Carbide (SiC) |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 1200V (1.2kV) | 상세 설명 | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 204A (Tc) 1130W Module |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 204A (Tc) |
페덱스 | www.FedEx.com | 기본 배송료는 지역 및 국가에 따라 $ 35.00부터입니다. |
---|---|---|
DHL | www.DHL.com | 기본 배송료는 지역 및 국가에 따라 $ 35.00부터입니다. |
UPS | www.UPS.com | 기본 배송료는 지역 및 국가에 따라 $ 35.00부터입니다. |
TNT | www.TNT.com | 기본 배송료는 지역 및 국가에 따라 $ 35.00부터입니다. |