제품 모델 | DTB123TKT146 | 제조사 | LAPIS Semiconductor |
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기술 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 | 161081 pcs | 데이터 시트 | 1.DTB123TKT146.pdf2.DTB123TKT146.pdf |
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 40V | IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
트랜지스터 유형 | PNP - Pre-Biased | 제조업체 장치 패키지 | SMT3 |
연속 | - | 저항기 -베이스 (R1) | 2.2 kOhms |
전력 - 최대 | 200mW | 포장 | Original-Reel® |
패키지 / 케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 다른 이름들 | DTB123TKT146DKR |
실장 형 | Surface Mount | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 주파수 - 전환 | 200MHz |
상세 설명 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 40V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SMT3 | IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 | 100 @ 50mA, 5V |
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) | 500nA (ICBO) | 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) | 500mA |
기본 부품 번호 | DTB123 |
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