제품 모델 | R6030KNZ1C9 | 제조사 | LAPIS Semiconductor |
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기술 | MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 | 22172 pcs | 데이터 시트 | R6030KNZ1C9.pdf |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 5V @ 1mA | Vgs (최대) | ±20V |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | TO-247 |
연속 | - | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 130 mOhm @ 14.5A, 10V |
전력 소비 (최대) | 305W (Tc) | 포장 | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스 | TO-247-3 | 다른 이름들 | R6030KNZ1C9TR R6030KNZ1C9TR-ND |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 실장 형 | Through Hole |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2350pF @ 25V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 56nC @ 10V |
FET 유형 | N-Channel | FET 특징 | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 600V |
상세 설명 | N-Channel 600V 30A (Tc) 305W (Tc) Through Hole TO-247 | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 30A (Tc) |
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