제품 모델 | PSMN1R0-30YLDX | 제조사 | Nexperia |
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기술 | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 | 56751 pcs | 데이터 시트 | PSMN1R0-30YLDX.pdf |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.2V @ 2mA | Vgs (최대) | ±20V |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | LFPAK56, Power-SO8 |
연속 | - | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 1.02 mOhm @ 25A, 10V |
전력 소비 (최대) | 238W (Tc) | 포장 | Cut Tape (CT) |
패키지 / 케이스 | SC-100, SOT-669, 4-LFPAK | 다른 이름들 | 1727-1859-1 568-11555-1 568-11555-1-ND |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 실장 형 | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 8598pF @ 15V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 121.35nC @ 10V |
FET 유형 | N-Channel | FET 특징 | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30V |
상세 설명 | N-Channel 30V 100A (Tc) 238W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8 | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 100A (Tc) |
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