제품 모델 | RN4981,LF(CT | 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
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기술 | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 | 1909053 pcs | 데이터 시트 | RN4981,LF(CT.pdf |
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 100mA | 전압 - 파괴 | US6 |
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) | 50V | 연속 | - |
RoHS 상태 | Tape & Reel (TR) | 저항 - 에미 터베이스 (R2) (옴) | 4.7k |
저항기 -베이스 (R1) (옴) | 250MHz, 200MHz | 전력 - 최대 | 200mW |
편광 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 다른 이름들 | RN4981(T5L,F,T) RN4981(T5LFT)TR RN4981(T5LFT)TR-ND RN4981LF(CTTR RN4981T5LFT |
잡음 지수 (f에서 dB Typ) | 4.7k | 실장 형 | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 제조업체 부품 번호 | RN4981,LF(CT |
주파수 - 전환 | 30 @ 10mA, 5V | 확장 설명 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 200mW Surface Mount US6 |
기술 | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 | IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 | 100µA (ICBO) |
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) | 300mV @ 250µA, 5mA | 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
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