제품 모델 | SSM3J114TU(TE85L) | 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
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기술 | MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 | 145511 pcs | 데이터 시트 | 1.SSM3J114TU(TE85L).pdf2.SSM3J114TU(TE85L).pdf |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 1V @ 1mA | Vgs (최대) | ±8V |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | UFM |
연속 | - | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 149 mOhm @ 600mA, 4V |
전력 소비 (최대) | 500mW (Ta) | 포장 | Cut Tape (CT) |
패키지 / 케이스 | 3-SMD, Flat Leads | 다른 이름들 | SSM3J114TU(TE85L)CT |
작동 온도 | 150°C (TJ) | 실장 형 | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 331pF @ 10V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 7.7nC @ 4V |
FET 유형 | P-Channel | FET 특징 | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 1.5V, 4V | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20V |
상세 설명 | P-Channel 20V 1.8A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UFM | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 1.8A (Ta) |
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