제품 모델 | TK30A06N1,S4X | 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
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기술 | MOSFET N-CH 60V 30A TO-220 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 | 85438 pcs | 데이터 시트 | TK30A06N1,S4X.pdf |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 200µA | Vgs (최대) | ±20V |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | TO-220SIS |
연속 | U-MOSVIII-H | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 15 mOhm @ 15A, 10V |
전력 소비 (최대) | 25W (Tc) | 포장 | Tube |
패키지 / 케이스 | TO-220-3 Full Pack | 다른 이름들 | TK30A06N1,S4X(S TK30A06N1,S4X-ND TK30A06N1S4X |
작동 온도 | 150°C (TJ) | 실장 형 | Through Hole |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1050pF @ 30V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 16nC @ 10V |
FET 유형 | N-Channel | FET 특징 | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 60V |
상세 설명 | N-Channel 60V 30A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220SIS | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 30A (Tc) |
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