제품 모델 | TK8R2A06PL,S4X | 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
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기술 | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 | 56659 pcs | 데이터 시트 | TK8R2A06PL,S4X.pdf |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.5V @ 300µA | Vgs (최대) | ±20V |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | TO-220SIS |
연속 | U-MOSIX-H | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 11.4 mOhm @ 8A, 4.5V |
전력 소비 (최대) | 36W (Tc) | 포장 | Tube |
패키지 / 케이스 | TO-220-3 Full Pack | 다른 이름들 | TK8R2A06PL,S4X(S TK8R2A06PLS4X |
작동 온도 | 175°C (TJ) | 실장 형 | Through Hole |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1990pF @ 25V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 28.4nC @ 10V | FET 유형 | N-Channel |
FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 60V | 상세 설명 | N-Channel 60V 50A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220SIS |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 50A (Tc) |
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