다이오드 브리지 정류기

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GBL01-E3/45 Electro-Films (EFI) / Vishay 기술:DIODE GPP 1PH 4A 100V GBL
VS-GBPC3502A Electro-Films (EFI) / Vishay 기술:RECT BRIDGE 1-PH 200V 35A GBPC-A
BU10085S-M3/45 Electro-Films (EFI) / Vishay 기술:RECTIFIER BRIDGE 800V 10A BU-5S
2W02G-E4/51 Electro-Films (EFI) / Vishay 기술:DIODE BRIDGE 2A 200V 1PH WOG

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TS8P02G C2G TSC (Taiwan Semiconductor) 기술:BRIDGE RECT 1PHASE 100V 8A TS-6P
RMB6SHRCG TSC (Taiwan Semiconductor) 기술:BRIDGE RECT 1P 600V 500MA MBS
D2SB40 D2G TSC (Taiwan Semiconductor) 기술:BRIDGE RECT 1PHASE 400V 2A GBL
DBLS202G RDG TSC (Taiwan Semiconductor) 기술:BRIDGE RECT 1PHASE 100V 2A DBLS

IXYS Corporation: - IXYS Corporation은 저 ON 저항 파워 MOSFET, 초고속 스위칭 IGBT, 고속 복구 다이오드 (FRED), SCR 및 다이오드 모듈, 정류기 브리지 및 전원 인터페이스 IC를 포함한 광범위한 고전력 반도체를 제공합니다. 세부

VUO36-08NO8 IXYS Corporation 기술:RECT BRIDGE 27A 800V FO-B
VUO82-14NO7 IXYS Corporation 기술:RECT BRIDGE 3PH 88A 1400V PWS-D
VUO16012NO7 IXYS Corporation 기술:BRIDGE RECT 3 PHASE 1200V 175A
VUO162-16NO7 IXYS Corporation 기술:DIODE BRIDGE 1600V 180A

Microsemi: - Microsemi Corporation (NASDAQ : MSCC)은 항공 우주 및 방위, 통신, 데이터 센터 및 산업 시장을위한 포괄적 인 반도체 및 시스템 솔루션 포트폴리오를 제공합니다. 제품에는 고성능 및 방사선 경화 아날로그 혼합 신호 집적 회로, FPGA, SoC 및 ASIC, 전력 관리 제품; 시간 및 동기화 장치 및 정확한 시간 솔루션으로 ...세부

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MSD160-08 Microsemi 기술:DIODE BRIDGE 3PH 800V 160A SM3
APTDF100H120G Microsemi 기술:DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4

GeneSiC Semiconductor: GeneSiC는 실리콘 카바이드 (Silicon Carbide) 기술의 선구자이자 세계 선두 기업이며, 고출력 실리콘 기술에도 투자하고 있습니다. 산업 및 방위 시스템의 세계적인 주요 제조업체는 GeneSiC의 기술을 사용하여 제품의 성능과 효율성을 높입니다. 세부

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KBPC1502T GeneSiC Semiconductor 기술:DIODE BRIDGE 200V 15A KBPC-T/W
KBL410G GeneSiC Semiconductor 기술:DIODE BRIDGE 1000V 4A KBL

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3SBMB6F Semtech 기술:BRIDGE RECT 3A 600V PCB
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SCBA6 Semtech 기술:BRIDGE RECT 6A 600V
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