다이오드 정류기-단일
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20ETS12
Electro-Films (EFI) / Vishay
기술:DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO220AC
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SS10PH10HM3_A/H
Electro-Films (EFI) / Vishay
기술:DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
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RS07B-GS18
Electro-Films (EFI) / Vishay
기술:DIODE GP 100V 500MA DO219AB
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VS-8ETX06SPBF
Electro-Films (EFI) / Vishay
기술:DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK
- TSC (Taiwan Semiconductor)
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S1AHM2G
TSC (Taiwan Semiconductor)
기술:DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC
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UG54GHA0G
TSC (Taiwan Semiconductor)
기술:DIODE GEN PURP 200V 5A DO201AD
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ES1AL RFG
TSC (Taiwan Semiconductor)
기술:DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
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1N5392G R0G
TSC (Taiwan Semiconductor)
기술:DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO204AC
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- - Microsemi Corporation (NASDAQ : MSCC)은 항공 우주 및 방위, 통신, 데이터 센터 및 산업 시장을위한 포괄적 인 반도체 및 시스템 솔루션 포트폴리오를 제공합니다. 제품에는 고성능 및 방사선 경화 아날로그 혼합 신호 집적 회로, FPGA, SoC 및 ASIC, 전력 관리 제품; 시간 및 동기화 장치 및 정확한 시간 솔루션으로 ...세부
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APTDF450U60G
Microsemi
기술:DIODE GEN PURP 600V 500A LP4
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JANTX1N6643U
Microsemi
기술:DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF
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APT60D30BG
Microsemi Corporation
기술:DIODE GEN PURP 300V 60A TO247
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JAN1N4458R
Microsemi Corporation
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- GeneSiC Semiconductor
- GeneSiC는 실리콘 카바이드 (Silicon Carbide) 기술의 선구자이자 세계 선두 기업이며, 고출력 실리콘 기술에도 투자하고 있습니다. 산업 및 방위 시스템의 세계적인 주요 제조업체는 GeneSiC의 기술을 사용하여 제품의 성능과 효율성을 높입니다. 세부
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S6B
GeneSiC Semiconductor
기술:DIODE GEN PURP 100V 6A DO4
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1N2133AR
GeneSiC Semiconductor
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STPSC12H065D
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STPS360AFY
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STTH8R04G
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BYG20D-E3/TR3
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GP10JHM3/73
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