| 제품 모델 | DDTA123ECA-7-F | 제조사 | Diodes Incorporated |
|---|---|---|---|
| 기술 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 양 | 3600204 pcs | 데이터 시트 | DDTA123ECA-7-F.pdf |
| 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 100mA | 전압 - 파괴 | SOT-23-3 |
| IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) | 50V | 연속 | - |
| RoHS 상태 | Tape & Reel (TR) | 저항 - 에미 터베이스 (R2) (옴) | 2.2k |
| 저항기 -베이스 (R1) (옴) | 250MHz | 전력 - 최대 | 200mW |
| 편광 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 잡음 지수 (f에서 dB Typ) | 2.2k |
| 실장 형 | Surface Mount | 제조업체 부품 번호 | DDTA123ECA-7-F |
| 주파수 - 전환 | 20 @ 20mA, 5V | 확장 설명 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3 |
| 기술 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 | IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 | 500nA |
| 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) | 300mV @ 500µA, 10mA | 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) | PNP - Pre-Biased |
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