제품 모델 | 1N6625E3 | 제조사 | Microsemi Corporation |
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기술 | DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 | 4638 pcs | 데이터 시트 | |
전압 - 피크 역 (최대) | Standard | 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우 | 1A |
전압 - 파괴 | A, Axial | 연속 | - |
RoHS 상태 | Bulk | 역 회복 시간 (trr) | Fast Recovery = 200mA (Io) |
만약, F @ 저항 | - | 편광 | A, Axial |
작동 온도 - 정션 | 80ns | 실장 형 | Through Hole |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 제조업체 부품 번호 | 1N6625E3 |
확장 설명 | Diode Standard 1100V (1.1kV) 1A Through Hole A, Axial | 다이오드 구성 | 1µA @ 1000V |
기술 | DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL | 전류 - 누설 Vr에서 역방향 | 1.95V @ 1.5A |
전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당) | 1100V (1.1kV) | VR, F @ 용량 | -65°C ~ 150°C |
페덱스 | www.FedEx.com | 기본 배송료는 지역 및 국가에 따라 $ 35.00부터입니다. |
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