| 제품 모델 | FDMS2D5N08C | 제조사 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET N-CH 80V 166A POWER56 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | |
| 사용 가능한 양 | 40588 pcs | 데이터 시트 | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 380µA | Vgs (최대) | ±20V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | Power56 |
| 연속 | PowerTrench® | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 2.7 mOhm @ 68A, 10V |
| 전력 소비 (최대) | 138W (Tc) | 패키지 / 케이스 | 8-PowerTDFN |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 실장 형 | Surface Mount |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 6240pF @ 40V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 84nC @ 10V |
| FET 유형 | N-Channel | FET 특징 | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 6V, 10V | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 80V |
| 상세 설명 | N-Channel 80V 166A (Tc) 138W (Tc) Surface Mount Power56 | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 166A (Tc) |
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