| 제품 모델 | FDR844P | 제조사 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET P-CH 20V 10A SSOT-8 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 양 | 5753 pcs | 데이터 시트 | FDR844P.pdf |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 1.5V @ 250µA | Vgs (최대) | ±8V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | SuperSOT™-8 |
| 연속 | - | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 11 mOhm @ 10A, 4.5V |
| 전력 소비 (최대) | 1.8W (Ta) | 포장 | Tape & Reel (TR) |
| 패키지 / 케이스 | 8-SMD, Gull Wing | 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 4951pF @ 10V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 74nC @ 4.5V | FET 유형 | P-Channel |
| FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20V | 상세 설명 | P-Channel 20V 10A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-8 |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 10A (Ta) |
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