제품 모델 | FDS6982S | 제조사 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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기술 | MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 | 6090 pcs | 데이터 시트 | FDS6982S.pdf |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 3V @ 250µA | 제조업체 장치 패키지 | 8-SO |
연속 | PowerTrench®, SyncFET™ | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 28 mOhm @ 6.3A, 10V |
전력 - 최대 | 900mW | 포장 | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 | Surface Mount | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2040pF @ 10V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 12nC @ 5V | FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
FET 특징 | Logic Level Gate | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30V |
상세 설명 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.3A, 8.6A 900mW Surface Mount 8-SO | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 6.3A, 8.6A |
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