제품 모델 | FGA6540WDF | 제조사 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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기술 | IGBT 650V 80A 238W TO-3PN | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 | 25112 pcs | 데이터 시트 | FGA6540WDF.pdf |
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 650V | VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대) | 2.3V @ 15V, 40A |
시험 조건 | 400V, 40A, 6 Ohm, 15V | Td (온 / 오프) @ 25 ° C | 16.8ns/54.4ns |
에너지 전환 | 1.37mJ (on), 250µJ (off) | 제조업체 장치 패키지 | TO-3PN |
연속 | - | 역 회복 시간 (trr) | 101ns |
전력 - 최대 | 238W | 포장 | Tube |
패키지 / 케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
실장 형 | Through Hole | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 입력 유형 | Standard |
IGBT 유형 | Trench Field Stop | 게이트 충전 | 55.5nC |
상세 설명 | IGBT Trench Field Stop 650V 80A 238W Through Hole TO-3PN | 전류 - 콜렉터 펄스 (ICM) | 120A |
전류 - 콜렉터 (IC) (최대) | 80A |
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