MJD112RL

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

이미지는 표현 일 수 있습니다. 제품 세부 사항은 사양을 참조하십시오.

제품 개요

제품 모델:	MJD112RL
제조업체 / 브랜드:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
제품 설명	TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
사양서:	MJD112RL.pdf
RoHS 상태	납 함유 / RoHS 비 준수
재고 상태	3957 pcs stock
에서 운송된다	홍콩
선적 방법	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3957 pcs

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제품 모델	MJD112RL	제조사	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술	TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK	무연 여부 / RoHS 준수 여부	납 함유 / RoHS 비 준수
사용 가능한 양	3957 pcs	데이터 시트	MJD112RL.pdf
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)	100V	IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대)	3V @ 40mA, 4A
트랜지스터 유형	NPN - Darlington	제조업체 장치 패키지	DPAK
연속	-	전력 - 최대	1.75W
포장	Tape & Reel (TR)	패키지 / 케이스	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
작동 온도	-65°C ~ 150°C (TJ)	실장 형	Surface Mount
수분 민감도 (MSL)	1 (Unlimited)	무연 여부 / RoHS 준수 여부	Contains lead / RoHS non-compliant
주파수 - 전환	25MHz	상세 설명	Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 2A 25MHz 1.75W Surface Mount DPAK
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가	1000 @ 2A, 3V	전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)	20µA
전류 - 콜렉터 (IC) (최대)	2A	기본 부품 번호	MJD112

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(집적 회로, 회로 보호, RF / IF 및 RFID, 광전자, 센서, 트랜스 듀서, 트랜스포머, 아이솔레이터, 스위치, 릴레이 전용)

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