제품 모델 | WPB4002 | 제조사 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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기술 | MOSFET N-CH 600V 23A TO3PB | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 | 2963 pcs | 데이터 시트 | WPB4002.pdf |
아이디 @ VGS (일) (최대) | - | Vgs (최대) | ±30V |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | TO-3PB |
연속 | - | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 360 mOhm @ 11.5A, 10V |
전력 소비 (최대) | 2.5W (Ta), 220W (Tc) | 포장 | Tray |
패키지 / 케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | 작동 온도 | 150°C (TJ) |
실장 형 | Through Hole | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2200pF @ 30V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 84nC @ 10V | FET 유형 | N-Channel |
FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 600V | 상세 설명 | N-Channel 600V 23A (Ta) 2.5W (Ta), 220W (Tc) Through Hole TO-3PB |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 23A (Ta) |
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