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Diodes Incorporated
| 제품 모델 | DMG8N65SCT | 제조사 | Diodes Incorporated |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET N-CH 650V 8A TO220AB | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 양 | 75698 pcs | 데이터 시트 | DMG8N65SCT.pdf |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA | Vgs (최대) | ±30V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | TO-220AB |
| 연속 | Automotive, AEC-Q101 | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 1.3 Ohm @ 4A, 10V |
| 전력 소비 (최대) | 125W (Tc) | 포장 | Cut Tape (CT) |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 | 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Contains lead / RoHS Compliant |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1217pF @ 25V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| FET 유형 | N-Channel | FET 특징 | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 650V |
| 상세 설명 | N-Channel 650V 8A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 8A (Tc) |
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|---|---|---|
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