| 제품 모델 | ZXMC3AM832TA | 제조사 | Diodes Incorporated |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 양 | 124931 pcs | 데이터 시트 | ZXMC3AM832TA.pdf |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 1V @ 250µA (Min) | 제조업체 장치 패키지 | 8-MLP (3x3) |
| 연속 | - | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 120 mOhm @ 2.5A, 10V |
| 전력 - 최대 | 1.7W | 포장 | Cut Tape (CT) |
| 패키지 / 케이스 | 8-VDFN Exposed Pad | 다른 이름들 | 1034-ZXMC3AM832TACT |
| 작동 온도 | - | 실장 형 | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 190pF @ 25V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 3.9nC @ 10V |
| FET 유형 | N and P-Channel | FET 특징 | Logic Level Gate |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30V | 상세 설명 | Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.9A, 2.1A 1.7W Surface Mount 8-MLP (3x3) |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 2.9A, 2.1A |
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