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Diodes Incorporated
| 제품 모델 | DMN2013UFX-7 | 제조사 | Diodes Incorporated |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 양 | 306198 pcs | 데이터 시트 | DMN2013UFX-7.pdf |
| 전압 - 테스트 | 2607pF @ 10V | 전압 - 파괴 | W-DFN5020-6 |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 11.5 mOhm @ 8.5A, 4.5V | 연속 | - |
| RoHS 상태 | Tape & Reel (TR) | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 10A |
| 전력 - 최대 | 780mW | 편광 | 6-VFDFN Exposed Pad |
| 다른 이름들 | DMN2013UFX-7DITR | 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 부품 번호 | DMN2013UFX-7 | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 57.4nC @ 8V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 1.1V @ 250µA | FET 특징 | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| 확장 설명 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 10A 780mW Surface Mount W-DFN5020-6 | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | Logic Level Gate |
| 기술 | MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 20V |
| 페덱스 | www.FedEx.com | 기본 배송료는 지역 및 국가에 따라 $ 35.00부터입니다. |
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