제품 모델 | IS43DR86400E-3DBLI | 제조사 | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
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기술 | IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 | 12496 pcs | 데이터 시트 | IS43DR86400E-3DBLI.pdf |
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 | 15ns | 전압 - 공급 | 1.7 V ~ 1.9 V |
과학 기술 | SDRAM - DDR2 | 제조업체 장치 패키지 | 60-TWBGA (8x10.5) |
연속 | - | 포장 | Tray |
패키지 / 케이스 | 60-TFBGA | 다른 이름들 | 706-1561 |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) | 실장 형 | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) | 3 (168 Hours) | 메모리 유형 | Volatile |
메모리 크기 | 512Mb (64M x 8) | 메모리 인터페이스 | Parallel |
메모리 형식 | DRAM | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
상세 설명 | SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 333MHz 450ns 60-TWBGA (8x10.5) | 클럭 주파수 | 333MHz |
액세스 시간 | 450ns |
페덱스 | www.FedEx.com | 기본 배송료는 지역 및 국가에 따라 $ 35.00부터입니다. |
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