제품 모델 | IDH04G65C5XKSA1 | 제조사 | Infineon Technologies |
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기술 | DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220-2 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 | 35343 pcs | 데이터 시트 | IDH04G65C5XKSA1.pdf |
전압 - 피크 역 (최대) | Silicon Carbide Schottky | 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우 | 4A (DC) |
전압 - 파괴 | PG-TO220-2 | 연속 | thinQ!™ |
RoHS 상태 | Tube | 역 회복 시간 (trr) | No Recovery Time > 500mA (Io) |
만약, F @ 저항 | 130pF @ 1V, 1MHz | 편광 | TO-220-2 |
다른 이름들 | IDH04G65C5 IDH04G65C5-ND SP000925198 |
작동 온도 - 정션 | 0ns |
실장 형 | Through Hole | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
제조업체 부품 번호 | IDH04G65C5XKSA1 | 확장 설명 | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 4A (DC) Through Hole PG-TO220-2 |
다이오드 구성 | 140µA @ 650V | 기술 | DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220-2 |
전류 - 누설 Vr에서 역방향 | 1.7V @ 4A | 전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당) | 650V |
VR, F @ 용량 | -55°C ~ 175°C |
페덱스 | www.FedEx.com | 기본 배송료는 지역 및 국가에 따라 $ 35.00부터입니다. |
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