| 제품 모델 | 2SAR586D3TL1 | 제조사 | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 기술 | POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 양 | 201227 pcs | 데이터 시트 | 2SAR586D3TL1.pdf |
| 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 80V | IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) | 320mV @ 100mA, 2A |
| 트랜지스터 유형 | PNP | 제조업체 장치 패키지 | TO-252 |
| 연속 | - | 전력 - 최대 | 10W |
| 포장 | Tape & Reel (TR) | 패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 다른 이름들 | 2SAR586D3TL1TR | 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 주파수 - 전환 | 200MHz |
| 상세 설명 | Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 5A 200MHz 10W Surface Mount TO-252 | IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 | 120 @ 500mA, 3V |
| 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) | 1µA (ICBO) | 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) | 5A |
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