| 제품 모델 | DTC114YCAT116 | 제조사 | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 기술 | NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 양 | 2191040 pcs | 데이터 시트 | 1.DTC114YCAT116.pdf2.DTC114YCAT116.pdf |
| 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 50V | IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) | 300mV @ 250µA, 5mA |
| 트랜지스터 유형 | NPN - Pre-Biased | 제조업체 장치 패키지 | SST3 |
| 연속 | - | 저항기 - 이미 터베이스 (R2) | 47 kOhms |
| 저항기 -베이스 (R1) | 10 kOhms | 전력 - 최대 | 200mW |
| 포장 | Tape & Reel (TR) | 패키지 / 케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 다른 이름들 | DTC114YCAMGT116 DTC114YCAT116TR |
실장 형 | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 주파수 - 전환 | 250MHz | 상세 설명 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SST3 |
| IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 | 68 @ 5mA, 5V | 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) | 500nA |
| 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) | 100mA |
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