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Rohm Semiconductor
| 제품 모델 | R6020ENZ1C9 | 제조사 | Rohm Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET N-CH 600V 20A TO247 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 양 | 23133 pcs | 데이터 시트 | R6020ENZ1C9.pdf |
| 전압 - 테스트 | 1400pF @ 25V | 전압 - 파괴 | TO-247 |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 196 mOhm @ 9.5A, 10V | Vgs (최대) | 10V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 연속 | - |
| RoHS 상태 | Tube | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 20A (Tc) |
| 편광 | TO-247-3 | 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 부품 번호 | R6020ENZ1C9 | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 60nC @ 10V |
| IGBT 유형 | ±20V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 4V @ 1mA |
| FET 특징 | N-Channel | 확장 설명 | N-Channel 600V 20A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-247 |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | - | 기술 | MOSFET N-CH 600V 20A TO247 |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 600V | 용량 비율 | 120W (Tc) |
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|---|---|---|
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