| 제품 모델 | RGW80TK65GVC11 | 제조사 | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 기술 | 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 양 | 15798 pcs | 데이터 시트 | RGW80TK65GVC11.pdf |
| 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 650V | VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대) | 1.9V @ 15V, 40A |
| 시험 조건 | 400V, 40A, 10 Ohm, 15V | Td (온 / 오프) @ 25 ° C | 44ns/143ns |
| 에너지 전환 | 760µJ (on), 720µJ (off) | 제조업체 장치 패키지 | TO-3PFM |
| 연속 | - | 전력 - 최대 | 81W |
| 패키지 / 케이스 | TO-3PFM, SC-93-3 | 작동 온도 | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 입력 유형 | Standard |
| IGBT 유형 | Trench Field Stop | 게이트 충전 | 110nC |
| 상세 설명 | IGBT Trench Field Stop 650V 39A 81W Through Hole TO-3PFM | 전류 - 콜렉터 펄스 (ICM) | 160A |
| 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) | 39A |
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