| 제품 모델 | MIC5019YFT-TR | 제조사 | Microchip Technology |
|---|---|---|---|
| 기술 | IC MOSFET DVR HIGH-SIDE 4TQFN | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 양 | 4109 pcs | 데이터 시트 | MIC5019YFT-TR.pdf |
| 전압 - 파괴 | 4-TQFN (1.2x1.2) | 쉘 스타일 | 2.7 V ~ 9 V |
| 연속 | - | RoHS 상태 | Digi-Reel® |
| 상승 / 하강 시간 (일반) | - | 편광 | 4-UDFN Exposed Pad, 4-TMLF® |
| 다른 이름들 | 1611-MIC5019YFT-DKR | 작동 온도 | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| 입력 주파수 | High-Side | 실장 형 | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 제조업체 부품 번호 | MIC5019YFT-TR |
| 논리 전압 - VIL, VIH | N-Channel MOSFET | 입력 유형 | Non-Inverting |
| 하이 사이드 전압 - 최대 (부트 스트랩) | - | 게이트 유형 | 1 |
| 확장 설명 | High-Side Gate Driver IC Non-Inverting 4-TQFN (1.2x1.2) | 기술 | IC MOSFET DVR HIGH-SIDE 4TQFN |
| 전류 - 피크 출력 (소스, 싱크) | 0.8V, 3V | 회로 당 채널 | Single |
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|---|---|---|
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