APT33GF120B2RDQ2G

Microsemi

이미지는 표현 일 수 있습니다. 제품 세부 사항은 사양을 참조하십시오.

제품 개요

제품 모델:	APT33GF120B2RDQ2G
제조업체 / 브랜드:	Microsemi
제품 설명	IGBT 1200V 64A 357W TMAX
사양서:	1.APT33GF120B2RDQ2G.pdf 2.APT33GF120B2RDQ2G.pdf
RoHS 상태	무연 / RoHS 준수
재고 상태	4802 pcs stock
에서 운송된다	홍콩
선적 방법	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4802 pcs

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제품 모델	APT33GF120B2RDQ2G	제조사	Microsemi
기술	IGBT 1200V 64A 357W TMAX	무연 여부 / RoHS 준수 여부	무연 / RoHS 준수
사용 가능한 양	4802 pcs	데이터 시트	1.APT33GF120B2RDQ2G.pdf 2.APT33GF120B2RDQ2G.pdf
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)	1200V	VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대)	3V @ 15V, 25A
시험 조건	800V, 25A, 4.3 Ohm, 15V	Td (온 / 오프) @ 25 ° C	14ns/185ns
에너지 전환	1.315µJ (on), 1.515µJ (off)	연속	-
전력 - 최대	357W	포장	Tube
패키지 / 케이스	TO-247-3 Variant	다른 이름들	APT33GF120B2RDQ2GMI APT33GF120B2RDQ2GMI-ND
작동 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)	실장 형	Through Hole
수분 민감도 (MSL)	1 (Unlimited)	무연 여부 / RoHS 준수 여부	Lead free / RoHS Compliant
입력 유형	Standard	IGBT 유형	NPT
게이트 충전	170nC	상세 설명	IGBT NPT 1200V 64A 357W Through Hole
전류 - 콜렉터 펄스 (ICM)	75A	전류 - 콜렉터 (IC) (최대)	64A

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(집적 회로, 회로 보호, RF / IF 및 RFID, 광전자, 센서, 트랜스 듀서, 트랜스포머, 아이솔레이터, 스위치, 릴레이 전용)

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