| 제품 모델 | JANTX1N485B | 제조사 | Microsemi Corporation |
|---|---|---|---|
| 기술 | DIODE GEN PURP 180V 200MA DO35 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 비 준수 |
| 사용 가능한 양 | 5179 pcs | 데이터 시트 | JANTX1N485B.pdf |
| 전압 - 피크 역 (최대) | Standard | 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우 | 200mA (DC) |
| 전압 - 파괴 | DO-35 | 연속 | Military, MIL-PRF-19500/118 |
| RoHS 상태 | Bulk | 역 회복 시간 (trr) | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| 만약, F @ 저항 | - | 편광 | DO-204AH, DO-35, Axial |
| 다른 이름들 | 1086-15378-MIL | 실장 형 | Through Hole |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 제조업체 부품 번호 | JANTX1N485B |
| 확장 설명 | Diode Standard 180V 200mA (DC) Through Hole DO-35 | 다이오드 구성 | 25nA @ 180V |
| 기술 | DIODE GEN PURP 180V 200MA DO35 | 전류 - 누설 Vr에서 역방향 | 1V @ 100mA |
| 전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당) | 180V | VR, F @ 용량 | -65°C ~ 175°C |
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