MS652S

Microsemi

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제품 개요

In Stock 6530 pcs

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제품 모델	MS652S	제조사	Microsemi
기술	TRANS RF BIPO 25W 2A M123	무연 여부 / RoHS 준수 여부	무연 / RoHS 준수
사용 가능한 양	6530 pcs	데이터 시트	MS652S.pdf
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)	16V	트랜지스터 유형	NPN
제조업체 장치 패키지	M123	연속	-
전력 - 최대	25W	포장	Bulk
패키지 / 케이스	M123	작동 온도	200°C (TJ)
잡음 지수 (f에서 dB Typ)	-	실장 형	Chassis Mount
수분 민감도 (MSL)	1 (Unlimited)	무연 여부 / RoHS 준수 여부	Lead free / RoHS Compliant
이득	10dB	주파수 - 전환	450MHz ~ 512MHz
상세 설명	RF Transistor NPN 16V 2A 450MHz ~ 512MHz 25W Chassis Mount M123	IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가	10 @ 200mA, 5V
전류 - 콜렉터 (IC) (최대)	2A

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(집적 회로, 회로 보호, RF / IF 및 RFID, 광전자, 센서, 트랜스 듀서, 트랜스포머, 아이솔레이터, 스위치, 릴레이 전용)

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