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STMicroelectronics
| 제품 모델 | SCT50N120 | 제조사 | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 양 | 2060 pcs | 데이터 시트 | 1.SCT50N120.pdf2.SCT50N120.pdf3.SCT50N120.pdf |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 3V @ 1mA | Vgs (최대) | +25V, -10V |
| 과학 기술 | SiCFET (Silicon Carbide) | 제조업체 장치 패키지 | HiP247™ |
| 연속 | - | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 69 mOhm @ 40A, 20V |
| 전력 소비 (최대) | 318W (Tc) | 포장 | Tube |
| 패키지 / 케이스 | TO-247-3 | 다른 이름들 | 497-16598-5 |
| 작동 온도 | -55°C ~ 200°C (TJ) | 실장 형 | Through Hole |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1900pF @ 400V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 122nC @ 20V |
| FET 유형 | N-Channel | FET 특징 | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 20V | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 1200V |
| 상세 설명 | N-Channel 1200V 65A (Tc) 318W (Tc) Through Hole HiP247™ | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 65A (Tc) |
| 페덱스 | www.FedEx.com | 기본 배송료는 지역 및 국가에 따라 $ 35.00부터입니다. |
|---|---|---|
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